作为半导体前端和先进晶圆级封装应用的晶圆工艺解决方案的领先供应商，上海梅生有限公司最近推出了一种新型的后CMP清洗设备这是梅生上海的第一台CMP后清洗设备，用于制造高质量基片的化学机械抛光工艺后的清洗清洗设备的6英寸和8英寸配置适用于制造碳化硅衬底，8英寸和12英寸配置适用于硅片制造该设备有两种配置:湿进干出和干进干出，可配备2，4或6个空腔，最大生产能力为每小时60片晶片
上海梅生董事长王晖博士表示:全球设备供应链的交付时间持续延长，这为上海梅生提供了绝佳的机会我们可以凭借在半导体清洗技术方面的丰富经验进入清洗市场，并进一步扩大清洗产品组合CMP后清洗设备为梅生上海客户提供了稳定，可靠，高性价比的解决方案，同时可以缩短交货时间，大大缓解短缺
在CMP步骤之后，有必要在低温下用稀释的化学物质进行物理预清洗过程，以减少颗粒的数量上海梅生的CMP后清洗设备可以满足这些要求，并提供多种配置，包括由上海梅生首创的SmartMegasonixTM高级清洗技术
第一种配置是新的WIDO在线预清洗设备，它可以直接与现有的CMP设备接口将晶片自动转移到两个刷洗腔中，同时用化学和冷去离子水处理晶片的正面，背面和斜边然后，晶片被转移到两个或四个清洗室，用各种化学药品和CDIW处理这一过程由氮气干燥和高速旋转完成，可实现37 nm以下残留颗粒小于15个或28 nm以下残留颗粒20—25个的处理，而金属污染可控制在1E+8 以内当配置四个空腔时，WIDO预清洗设备每小时可以提供多达35个晶片
第二种配置是新的DIDO预清洗单机设备，配备四个装载口，比WIDO预清洗设备占地面积小适用于CMP生产线内置清洗室的客户，从而保持取出的晶圆干燥在这种配置中，通过装载口将晶片手动转移到预清洗设备，然后进行与在WIDO预清洗设备中相同的处理DIDO预清洗设备有四腔或六腔配置，分别是两个软刷和两个清洗腔或两个软刷和四个清洗腔DIDO预清洗设备可以达到和WIDO预清洗设备一样的金属污染清洗效果使用六腔设备时，生产能力可达每小时60片
第三种可用的配置是WIDO离线预清洗设备，适用于小尺寸的晶圆厂当使用该设备时，从CMP设备出来的湿晶片需要转移到DIW，并手动转移到WIDO离线预清洗设备使用相同的清洗工艺，可以达到相同的颗粒清洗性能，产能可以达到每小时60片
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